秦国刚

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半导体材料物理专家。  生于南京，原籍江苏昆山。

1961 年北京大学物理系研究生毕业。北京大学物理学院教授。长期从事半导体材料物理研究。在半导体杂质与缺陷领域研究中，最早揭示硅中存在含氢的深中心；发现退火消失温度原本不同的各辐照缺陷在含氢硅中变得基本相同；发现氢能显著影响肖特基势垒高度。测定的硅中铜的深能级参数被国际权威性半导体数据专著采用。在多孔硅和纳米硅镶嵌氧化硅光致发光和电致发光方面的研究中，对光致发光提出量子限制－发光中心模型，得到国际广泛支持；发现p 型硅衬底上氧化硅发光中心电致发光现象，在此基础上，设计并研制出一系列硅基电致发光新结构。所提出的电致发光机制模型被广泛引用。

2001 年当选为中国科学院院士。