中国科学院院士6

沈碑辰

中国科学院院士-沈天慧

沈天慧(1923年4月27日一2011年1月2日)，女，出生于浙江嘉善，半导体化学家，中国科学院院士，上海交通大学教授。

1949年毕业于上海大同大学化工系。 1957年，留学苏联进修半导体材料。回国后，她和中国科学院半导体研究所的科研人员一起，用元坩锅区熔法拉出了单晶硅，为祖国的半导体科学技术作出贡献。1974年，沈天慧致力于大规模集成电路的研究。1980年当选为中国科学院学部委员。

沈天慧曾获国家级奖励三项，部委级奖励四项。

主要成就

1980年当选为中国科学院学部委员

代表作品

用元坩锅区熔法拉出了单晶硅

沈天慧，半导体化学家 。1923年4月27日生于浙江嘉善，籍贯浙江杭州，2011年1月2日逝世。1949年毕业于上海大同大学化工系。1957年至1959年赴苏联进修。上海交通大学教授。1980年当选为中国科学院学部委员(院士)。 参加了包头稀土铁矿以及钼矿的分析工作。开展了用三氯氢硅法制备超纯硅的研究工作。1966-1986年从事半导体材料及航天用大规模集成电路的研制。1978年成功地用等平面N沟硅栅MOS工艺，研制出大规模集成电路数种，当时在国内处于领先地位。1987年后，从事磁头磁盘及电磁型微马达的研制工作，已制出直径为2mm的微马达。
人物生平
1923年4月27日，沈天慧出生于浙江嘉善魏塘镇，籍贯浙江杭州。童年在嘉善寺弄小学、文庙高级小学及县立初中读书。

1949年，沈天慧从上海大同大学化工系毕业，同年考入中央研究院(中国科学院前身)上海化学研究所工作，在分析化学家梁树权教授的指导下，从事分析化学的研究工作。毕业后，在中国科学院从事分析化学工作。

1957年，沈天慧前往留学苏联，在苏联科学院冶金研究所学习硅的提纯技术，在两年的学习阶段，学会了整套的制备纯硅技术。

1959年，沈天慧回中国后，在中国科学院长春应用化学研究所工作。

1966年-1986年，沈天慧在陕西省临潼县航天工业部七七一研究所兼第七研究室主任。

1980年，当选为中国科学院学部委员(院士)。

1987年-2009年1月，任上海交通大学教授、学术委员会委员。

2011年1月2日凌晨2时55分，因病在上海逝世，享年88岁 。
科研成就
参加了包头稀土铁矿以及钼矿的分析工作。开展了用三氯氢硅法制备超纯硅的研究工作。1966-1986年从事半导体材料及航天用大规模集成电路的研制。1978年成功地用等平面N沟硅栅MOS工艺，研制出大规模集成电路数种，当时在国内处于领先地位。1987年后，从事磁头磁盘及电磁型微马达的研制工作，已制出直径为2mm的微马达。
社会任职
上海交通大学信息存储研究中心研究员、上海交通大学学术委员会委员

上海交通大学材料与化工研究院顾问、微纳米科学技术研究院研究员、微纳米加工技术重点实验室学术委员会主任
探索之苦
沈天慧在调到上海之前，沈天慧在艰苦的东北、西北工作了35年，把最美好的青春献给了新中国刚刚起步的宇航事业。特别是在陕西临潼呆的那17年，回忆起来，那真是一段骄傲和艰辛并存的创业史。

1969年，由于当时中国国内形势的需要，汪师俊、沈天慧夫妇所在的研究所从北京迁址三线临潼。大孩子在当地的村小读书，教室里的门窗到处是一个个的窟窿，冬天冷得不行。小一点的孩子没有幼儿园可上，只得关在家里，一生病，两人就轮流利用半天10分钟的休息时间回家照看一下。沈天慧对半导体材料及硅集成电路的研究就在这样艰苦的环境下慢慢起步了。由于研制集成电路对于工作环境有相当高的要求，需要空气干燥、气候恒定，因此，她日复一日、年复一年在一个类似"套子"一样的房子里工作，以至于后来得了严重的类风湿关节炎，手发抖并严重变形，腿发颤，行走不便。
求学辛酸
沈天慧与居里夫人一样，沈天慧的求学之路也充满艰辛。1937年"八·一三"事变后，一把大火把老家浙江嘉善的房子烧得精光。靠奖学金和做家教，她在上海读完了初中和高中，毕业后，因家境困难，沈天慧在上海药厂做了三年工，然后继续在大同大学化工系半工半读，坚持到大学毕业。

沈天慧的爱人汪师俊是她的大学同学，据他介绍，当时沈天慧既在学校兼文书职务，又当家庭教师，而她的成绩在班里仍属佼佼者，她的秘密就在于利用每一分可利用的时间。
收获之甜
沈天慧的研究为中国研制成功大规模集成电路打下了基础。16位制的中国国产微机诞生也和她的研究息息相关。1980年，她光荣地当选为中国科学院学部委员，成为中国寥寥科学女星中的一颗。1987年，她作为上海最需要的人才之一被引进到上海交通大学工作，开始了新的研究领域。
学术成就
沈天慧教授主要致力于分析化学、半导体化学方面的研究工作，曾参加过硫酸根的测定、包头含稀土铁矿的全分析、钼矿的全分析、地下水的全分析等项科学研究。70年代初开始从事大规模集成电路的研究工作。 曾采用三氯氢硅法制备超纯硅，进行了磁叠片存储器、玻璃半导体记忆材料等研究，取得了成果。参与了等平面N沟硅栅工艺制备MOS大规模集成电路的研究，特别是薄氧化层的研究，为超大规模集成电路的制备作出了贡献。沈天慧从苏联回中国后开展用三氯氢硅法制纯硅的研究工作。 1966--1986年从事半导体材料及大规模集成电路的研制。 1978年成功地用等平面N沟硅栅MOS工艺研制出大规模集成电路数种，当时在中国国内处于领先地位。从事超大规模集成电路工艺--光化学气相淀积氮化硅的研究及其在集成电路上的应用，化学镀镍磷--磁表面保护故铁硼的研究，继续作出贡献。1987年到2009年1月注重磁头磁盘的研制工作。沈天慧从事的磁头磁盘及电磁型微马达的研制工作，能制出具有国际水平的直径为2mm的微马达。
主要论著
1、《包头白云鄂博稀土铁矿全分析方法的研究》(与梁树权合作)，1954年在中国稀土铁矿会议上学术交流。

2、《三氯氢硅法制取半导体超纯硅的研究》，1963年在全国半导体材料会议上学术交流。

3、《化学在集成电路中的作用》，载《化学通报》1984年第10期。

4、《化学气相淀积技术》(专题技术讲座连载1-22)，载《半导体杂志》1985年第6期至1992年第4期。

5、《超大规模集成电路工艺概况》，载《微电子学与计算机》1986年第3期。

6、《超大规模集成电路工艺:薄层硅外延》，载《微电子学与计算机》1987年第4期。

7、《超大规模集成电路工艺:超微细加工》，载《微电子学与计算机》1988年第5期。

8、《超大规模集成电路工艺:4氏温工艺》，载《微电子学与计算机》1989年第4期。

9、《超大规模集成电路工艺:金属化工艺》，载《微电子学与计算机》1991年第川期。

10、《光化学在超大规模集成电路中的应用》，载《真空应用》1986年第3期。

11、《硬磁盘化学镀非晶体Ni-P衬底的研究》，载《薄膜科学与技术》1992年第2期。

12、《Nd-Fe-B永磁体化学镀抗腐蚀保护层的研究》，载1992年《中国第三届固体薄膜学术会议论文集》。

13、《光化学气相淀积氮化硅的工艺研究》，载《微电子学与计算机》1993年第2期。

14、《光化学气相淀积氮化硅薄膜应用于提高器件的可靠性》，载《微电子学与计算机》1993年第9期。

15、《用多晶硅吸杂和Si02背封工艺提高硅片质量》，载《微电子学与计算机》1997年第2期。