邹世昌

邹昭蔚

邹世昌　生于民国20年（1931年）7月，江苏太仓县人，中国科学院学部委员。1952年唐山交通大学冶金工程系毕业，苏联莫斯科有色金属学院副博士。中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。负责甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策，获国家发明一等奖。独创用二氧化碳激光背面辐照射的新方法，获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路。合成了SOI材料并制成CMOS/SOI电路。在研究低能离子束引起的溅射、损伤和貌相变化的基础上，用反应离子束加工成我国第一批闪耀全息光栅、氧化钛薄膜。